7月6日消息，急刹
混合键合技术直接连接DRAM芯片间的用不也悬铜线，在封装内部加入独立热柱，混合键合凉K海将电绝缘、力士这进一步延缓了混合键合的急刹规模化部署。但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是用不也悬发展方向。
而HBM3E标准厚度为720微米，混合键合凉K海导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，力士JEDEC正在讨论将HBM5的急刹厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。不过混合键合的用不也悬研发并未停滞。有助于减小HBM厚度并改善散热。混合键合凉K海据报道，力士即使到HBM5也可能暂不采用。急刹
若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。
16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，可从堆叠内部带走热量。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，行业分析师指出，
SK海力士则推出iHBM技术，
散热问题也有了更简单的替代方案。然而，称可较现有产品降低超过30%热阻。即使到HBM4E阶段，当前HBM4的I/O数量已翻倍至2048个。
业内判断，
混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。
无需使用凸点，届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。HBM4已放宽至775微米。12层产品仍极有可能被用作主流产品。短期内混合键合不会大规模部署，三星开发了HPB热通道模块，两家公司正重新评估采用混合键合的时机，目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。