相比辊压的米压线接触模式，该技术完全绕开传统深紫外（DUV）光刻路线，完全外光而纳米压印只需将所有结构制作在同一片模板上，绕开《南华早报》指出，深紫
此次突破也反映出在美国主导的刻路空气刻机出口管制下，
不过，线国能将晶圆整面压力均匀性误差控制在0.5%以内，产真成本其商业化规模仍有待进一步观察。线宽分辨率可达10nm以下。出货量、短期内难以替代DUV和EUV在先进逻辑芯片制造中的主导地位。此次8英寸光芯片量产突破，
不同于行业主流的辊压和佳能喷墨步进式路线，该公司已交付中国首台半导体级纳米压印光刻设备。
更关键的是，大幅缩短了生产周期并降低了良率损耗。传感和激光雷达领域。尽管纳米压印设备本身成本更低，
目前，
研究机构SemiAnalysis表示，与深圳力策科技合作采用自主研发的真空气压式纳米压印方案，到各类设备初创企业在细分芯片领域寻找实用的制造替代方案，其全域一次压印的效率更适合光芯片的大规模生产。杭州璞璘科技（Prinano）近日通过官方微信公众号宣布，气压式彻底解决了压印均匀性不足的问题；而对比佳能的步进式工艺，将光芯片制造成本压缩至DUV方案的十分之一，缺陷率和工艺集成水平，先进封装和三维集成，国产半导体产业正在通过多条路径突破技术封锁。
据报道，行业对于纳米压印技术的实际价值仍存在广泛争议。
6月9日消息，该设备采用“空气垫”式面接触压印原理，
PL-AS 半导体级真空气压式纳米压印机
12寸晶圆光芯片压印展示
纳米压印光刻技术量产激光雷达芯片展示
此次量产突破的核心是璞璘科技自主研发的PL-AS真空气压式晶圆级纳米压印光刻设备，传统DUV光刻制造光芯片时，配合定制化双层压印胶材料体系与核心工艺，标志着国产纳米压印技术从实验室走向产业化应用的关键一步。2025年8月，模板生产、同时支持硬质与柔性模板，为受ASML光刻机出口限制的中国芯片产业带来了新的曙光。中国科技企业探索差异化技术路线的整体趋势。该技术在量产规模、但其实际成本优势取决于产能、面对从几十纳米到数微米的复杂结构需要多道工艺和多台设备配合，残余层厚度偏差小于2nm，整个生产过程无需使用ASML的DUV光刻机。从华为近期提出的韬（τ）定律将发展重心从晶体管微缩转向系统级数据传输、客户订单及独立验证数据，
遵义湘香装饰工程有限公司成立于2017年的璞璘科技，