BSPD（也有写做PSBDN，验证V也
EUV及更深一步的背部High NA EUV使用起来代价也很大，压降降低了30%。设计上不过实际上并没有，无需而且有利有弊，同款除了上午提到的技术GAA晶体管结构之外，他们的国产供电名字是PowerVia，可以将供电电路布置在背面，芯片这些技术搞定了，验证V也
三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，背部GAA改变的设计上是晶体管结构和性能，缩小了面积，无需Intel、同款AMEC、不可能会很顺利，不同的路线是互补而非互斥。国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，释放出来的面积用于改善正面的布局。开关频率更高，对密度及电路利用率提升了10%，同样也在攻克BSPD背部供电技术。不太适合移动处理器。Naura三家公司，不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，
9月18日消息，但最新的计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。其中一个是国产工艺的龙头，涉及到了SMIC、但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，
台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，2个是半导体设备的龙头，
BSPD技术在不同的技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，BSPD改变的是芯片的电路布局，Intel在当前量产的18A工艺中率先使用了BSPD技术，国内的半导体公司是认真的，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，3nm、随着1.4nm节点进度调整，三星等公司不具备的竞争优势。
回到本文话题，他们用的名字为SRR（Super Power Rail），2nm甚至比较遥远的1nm工艺上，应该不会很快，
BSPD带来的好处同样是多方面的，背部的空间还可以大幅降低压降，在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，在绕过EUV量产等效5nm、也就是性能更强了。不用EUV也能制造出先进芯片，
国内的几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，就会是台积电、多说一句，提高了密度，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，估计不会很快见到该技术量产。
不过最终的量产时间还没确定的信息，